vlastnosti produktu
TYP
POPISOVAŤ
kategórii
Diskrétne polovodičové produkty
Tranzistor – FET, MOSFET – Single
výrobca
Infineon Technologies
séria
CoolGaN™
Balíček
Páska a kotúč (TR)
Strižné pásmo (CT)
Vlastná cievka Digi-Reel®
Stav produktu
prerušená
typ FET
N kanál
technológie
GaNFET (nitrid gália)
Napätie odtokového zdroja (Vdss)
600 V
Prúd pri 25 °C – nepretržité vypúšťanie (Id)
31A (Tc)
Napätie pohonu (max. Rds zapnuté, min. Rds zapnuté)
-
On-odpor (max) pri rôznych Id, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) pri rôznych ID
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max.)
-10V
Vstupná kapacita (Ciss) pri rôznych Vds (max)
380 pF pri 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125 W (Tc)
Prevádzková teplota
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
typ inštalácie
Typ povrchovej montáže
Dodávateľské balenie zariadení
PG-DSO-20-87
Balenie/príloha
20-PowerSOIC (0,433″, šírka 11,00 mm)
Základné číslo produktu
IGOT60
Médiá a súbory na stiahnutie
TYP ZDROJA
LINK
technické údaje
IGOT60R070D1
Sprievodca výberom GaN
CoolGaN™ 600 V e-režim GaN HEMTs Stručný
Ďalšie súvisiace dokumenty
GaN v adaptéroch/nabíjačkách
GaN v serveri a telekomunikáciách
Spoľahlivosť a kvalifikácia CoolGaN
Prečo CoolGaN
GaN v bezdrôtovom nabíjaní
video súbor
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT hodnotiaca platforma polovičného mostíka s GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – nová výkonová paradigma
2500 W hodnotiaca doska PFC totemu s plným mostom pomocou CoolGaN™ 600 V
HTML špecifikácie
CoolGaN™ 600 V e-režim GaN HEMTs Stručný
IGOT60R070D1
Životné prostredie a klasifikácia exportu
ATRIBÚTY
POPISOVAŤ
stav RoHS
V súlade so špecifikáciou ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 hodín)
stav REACH
Produkty mimo REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
